پاورپوینت افزاره های غیر فعال پاورپوینت 72
پاورپوینت افزاره های غیر فعال پاورپوینت 72
به وب سایت آسان دانلود خوش آمدید. دانلود فایل پاورپوینت افزاره های غیر فعال پاورپوینت 72 با لینک مستقیم از سایت مرجع اصلی این فایل.
پاورپوینت افزاره های غیر فعال دسته: پاورپوینت بازدید: 4 بارفرمت فایل: ppt حجم فایل: 3117 کیلوبایت تعداد صفحات فایل: 72 دانلود پاورپوینت افزاره های غیر فعال
بررسی افزاره های غیر فعال
پاورپوینت جامع و کامل افزاره های غیر فعال
کاملترین پاورپوینت افزاره های غیر فعال
پکیج پاورپوینت افزاره های غیر فعال
مقاله افزاره های غیر فعال
تحقیق افزاره های غیر فعال قیمت فایل فقط 24,200 تومان نوع فایل: پاورپوینت (قابل ویرایش) قسمتی از متن پاورپوینت : تعداد اسلاید : 72 صفحه افزاره های غیر فعال نمای کلی فصل 7: فصل 7: افزاره های غیر فعال ساختار های سلف سلف های متقارن اثر لایه محافظ زمین شده سلف های حلقوی پشته ای سلف ها ساختار پایه معادلات اندوکتانسی خازن های پارازیتیمکانیسم تلفاتمدل سازی سلف خازن های متغیر پیوند های PN خازن های متغیر MOS مدل سازی خازن متغیر ترانسفورماتور ها ساختار ها اثر خازن تزویج مدل سازی ترانسفورماتورها دلیل ساخت سلف به صورت مجتمع : فصل 7:افزاره های غیرفعال در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشهایجاد المان های پارازیتی که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد نیاز به تعداد زیادی سلف در مدارات RF ساختار پایه CH 7 Passive Devices 4 وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند. برای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ). اندوکتانس سلف حلقوی با N دور : CH 7 Passive Devices 5 اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای جمله خواهد بود . دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N را محدود میکند :حلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند . ضریب تزویج متقابل برای دورهای مجاور تنها حدود 7. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد . تاثیر هندسه سلف بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices 6 یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط 4 کمیت مشخص می گردد:ابعاد بیرونی ِDoutتعداد دور ها Nپهنای خط Wفاصله خطوط S CH 7 Passive Devices 7 این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد . افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند . تاثیر دو برابر کردن پهنای خط بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices 8 بهتر است قطری 5تا 6 برابر W برای حفره داخلی انتخاب شود . هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور. نمودار ضریب تزویج مغناطیسی بین دو خط مستقیم ساختار های مختلف سلف CH 7 Passive Devices 8 ضلعی متقارن پشته ای با لایه محافظ زمین شده حلقه های موازی دایره ای تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن یا بین اندوکتانس و ابعاد ) CH 7 Passive Devices 10 معدلات اندوکتانس معادلاتی که با اساس برازش منحنی یا بر اساس ویژگی فیزیکی سلف ها هشتند این فرمول برای سلف های 5nH تا 50nH کمتر از 10% خطا دارد . :Am مساحت فلز, :Atot مساحت کل سلف CH 7 Passive Devices 11 خازن های پارازیتی سلف های مجتمع سلف های حلقوی دارای مشکل خازن های پارازیتی هستند :خازن های صفحه موازی و خازن های لبه به بسترخازن های لبه های مجاور خازن های صفحه پاینی خازن های میان دوری CH 7 Passive Devices 12 تقریب خازن های پارازیتی مدل خازن توزیع شده به زمین برای سادگی محاسبات دو فرض داریم:هر دو بخش سلف دارای تزویج متقابل M هستندتزویج به اندازه کافی قوی است که M را تقریبا با Lu uبرابر فرض کرد . ولتاژ بر روی هر بخش از سلف CH 7 Passive Devices توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دانلود می کنید. قیمت فایل فقط 24,200 تومان برچسب ها : دانلود پاورپوینت افزاره های غیر فعال , بررسی افزاره های غیر فعال , پاورپوینت جامع و کامل افزاره های غیر فعال , کاملترین پاورپوینت افزاره های غیر فعال , پکیج پاورپوینت افزاره های غیر فعال , مقاله افزاره های غیر فعال , تحقیق افزاره های غیر فعال